Bài phát biểu quan trọng của PCIM
Thượng Hải, ngày 25 tháng 9 năm 2025 — Vào lúc 11 giờ 40 phút sáng nay, tại Diễn đàn Công nghệ PCIM Asia 2025 ở Hội trường N4 của Trung tâm Triển lãm Quốc tế Mới Thượng Hải, ông Zhang Qingtao, Phó Chủ tịch Công ty TNHH Điện tử Thượng Hải YMIN, đã có bài phát biểu quan trọng với tiêu đề “Ứng dụng đột phá của tụ điện trong các giải pháp bán dẫn thế hệ thứ ba mới”.
Bài phát biểu tập trung vào những thách thức mới do công nghệ bán dẫn thế hệ thứ ba như silicon carbide (SiC) và gallium nitride (GaN) đặt ra đối với tụ điện trong điều kiện hoạt động khắc nghiệt như tần số cao, điện áp cao và nhiệt độ cao. Bài phát biểu đã giới thiệu một cách hệ thống những đột phá công nghệ và các ví dụ thực tiễn của tụ điện YMIN trong việc đạt được mật độ điện dung cao, điện trở nội thấp (ESR), tuổi thọ cao và độ tin cậy cao.
Điểm chính
Với sự ứng dụng nhanh chóng của các thiết bị SiC và GaN trong xe năng lượng mới, lưu trữ năng lượng quang điện, máy chủ AI, nguồn điện công nghiệp và các lĩnh vực khác, yêu cầu về hiệu năng đối với tụ điện hỗ trợ ngày càng trở nên khắt khe. Tụ điện không còn chỉ đóng vai trò hỗ trợ; chúng giờ đây là “động cơ” quan trọng quyết định sự ổn định, hiệu quả và tuổi thọ của hệ thống. Thông qua đổi mới vật liệu, tối ưu hóa cấu trúc và nâng cấp quy trình, YMIN đã đạt được những cải tiến toàn diện về tụ điện trên bốn khía cạnh: thể tích, dung lượng, nhiệt độ và độ tin cậy. Điều này trở nên vô cùng quan trọng cho việc triển khai hiệu quả các ứng dụng bán dẫn thế hệ thứ ba.
Thách thức kỹ thuật
1. Giải pháp nguồn điện cho máy chủ AI · Hợp tác với Navitas GaN. Thách thức: Chuyển mạch tần số cao (>100kHz), dòng điện gợn sóng cao (>6A) và môi trường nhiệt độ cao (>75°C). Giải pháp:Dòng IDC3Tụ điện phân có điện trở nội thấp (ESR ≤ 95mΩ) và tuổi thọ 12.000 giờ ở 105°C. Kết quả: Giảm 60% kích thước tổng thể, cải thiện hiệu suất 1%-2% và giảm nhiệt độ 10°C.
2. Bộ nguồn dự phòng NVIDIA AI Server GB300-BBU · Thay thế cho sản phẩm Musashi của Nhật Bản. Thách thức: Tăng điện áp GPU đột ngột, phản hồi ở mức mili giây và tuổi thọ giảm trong môi trường nhiệt độ cao. Giải pháp:Siêu tụ điện vuông LICĐiện trở trong <1mΩ, 1 triệu chu kỳ sạc và sạc nhanh trong 10 phút. Kết quả: Giảm kích thước 50%-70%, giảm trọng lượng 50%-60% và hỗ trợ công suất đỉnh 15-21kW.
3. Bộ nguồn đường sắt Infineon GaN MOS480W thay thế cho Rubycon của Nhật Bản. Thách thức: Phạm vi nhiệt độ hoạt động rộng từ -40°C đến 105°C, dòng điện gợn sóng tần số cao. Giải pháp: Tỷ lệ suy giảm nhiệt độ cực thấp <10%, khả năng chịu dòng điện gợn sóng 7,8A. Kết quả: Vượt qua các bài kiểm tra khởi động ở nhiệt độ thấp -40°C và chu kỳ nhiệt độ cao-thấp với tỷ lệ đạt 100%, đáp ứng yêu cầu tuổi thọ hơn 10 năm của ngành đường sắt.
4. Xe năng lượng mớiTụ điện DC-Link• Kết hợp với bộ điều khiển động cơ 300kW của ON Semiconductor. Thách thức: Tần số chuyển mạch > 20kHz, dV/dt > 50V/ns, nhiệt độ môi trường > 105°C. Giải pháp: ESL < 3,5nH, tuổi thọ > 10.000 giờ ở 125°C và tăng 30% dung lượng trên mỗi đơn vị thể tích. Kết quả: Hiệu suất tổng thể > 98,5%, mật độ công suất vượt quá 45kW/L và tuổi thọ pin tăng khoảng 5%. 5. Giải pháp trạm sạc GigaDevice 3,5kW. YMIN cung cấp hỗ trợ chuyên sâu.
Thách thức: Tần số chuyển mạch PFC là 70kHz, tần số chuyển mạch LLC là 94kHz-300kHz, dòng điện gợn sóng phía đầu vào tăng vọt lên hơn 17A, và sự tăng nhiệt độ lõi ảnh hưởng nghiêm trọng đến tuổi thọ.
Giải pháp: Cấu trúc song song đa tab được sử dụng để giảm ESR/ESL. Kết hợp với MCU GD32G553 và các thiết bị GaNSafe/GeneSiC, mật độ công suất đạt được là 137W/in³.
Kết quả: Hiệu suất cực đại của hệ thống đạt 96,2%, hệ số công suất (PF) là 0,999 và độ méo hài tổng (THD) là 2,7%, đáp ứng yêu cầu về độ tin cậy cao và tuổi thọ từ 10-20 năm của các trạm sạc xe điện.
Phần kết luận
Nếu bạn quan tâm đến các ứng dụng tiên tiến của chất bán dẫn thế hệ thứ ba và muốn tìm hiểu cách thức đổi mới tụ điện có thể cải thiện hiệu suất hệ thống và thay thế các thương hiệu quốc tế, vui lòng ghé thăm gian hàng YMIN, C56 tại Hall N5, để được tư vấn kỹ thuật chi tiết!
Thời gian đăng bài: 26/09/2025