Bài phát biểu chính của PCIM
Thượng Hải, ngày 25 tháng 9 năm 2025—Vào lúc 11:40 sáng nay, tại Diễn đàn Công nghệ PCIM Châu Á 2025 tại Hội trường N4 của Trung tâm Triển lãm Quốc tế Mới Thượng Hải, ông Zhang Qingtao, Phó chủ tịch Công ty TNHH Điện tử YMIN Thượng Hải, đã có bài phát biểu quan trọng với chủ đề “Ứng dụng sáng tạo của tụ điện trong các giải pháp bán dẫn thế hệ thứ ba mới”.
Bài phát biểu tập trung vào những thách thức mới đặt ra bởi các công nghệ bán dẫn thế hệ thứ ba như silicon carbide (SiC) và gallium nitride (GaN) cho tụ điện trong điều kiện vận hành khắc nghiệt như tần số cao, điện áp cao và nhiệt độ cao. Bài phát biểu đã giới thiệu một cách hệ thống những đột phá công nghệ của tụ điện YMIN và các ví dụ thực tế trong việc đạt được mật độ điện dung cao, ESR thấp, tuổi thọ cao và độ tin cậy cao.
Những điểm chính
Với việc các thiết bị SiC và GaN được ứng dụng nhanh chóng trong các phương tiện năng lượng mới, hệ thống lưu trữ năng lượng quang điện, máy chủ AI, bộ nguồn công nghiệp và các lĩnh vực khác, các yêu cầu về hiệu suất hỗ trợ tụ điện đang ngày càng trở nên khắt khe hơn. Tụ điện không còn chỉ đóng vai trò hỗ trợ nữa; giờ đây, chúng là “động cơ” quan trọng quyết định độ ổn định, hiệu suất và tuổi thọ của hệ thống. Thông qua đổi mới vật liệu, tối ưu hóa cấu trúc và nâng cấp quy trình, YMIN đã đạt được những cải tiến toàn diện về tụ điện trên bốn khía cạnh: thể tích, dung lượng, nhiệt độ và độ tin cậy. Điều này đã trở nên thiết yếu cho việc triển khai hiệu quả các ứng dụng bán dẫn thế hệ thứ ba.
Thách thức kỹ thuật
1. Giải pháp Nguồn điện Máy chủ AI · Hợp tác với Navitas GaN. Thách thức: Chuyển mạch tần số cao (>100kHz), dòng điện gợn sóng cao (>6A) và môi trường nhiệt độ cao (>75°C). Giải pháp:Dòng IDC3Tụ điện phân có ESR thấp, ESR ≤ 95mΩ và tuổi thọ 12.000 giờ ở 105°C. Kết quả: Giảm 60% kích thước tổng thể, cải thiện hiệu suất 1%-2% và giảm nhiệt độ 10°C.
2. Bộ nguồn dự phòng NVIDIA AI Server GB300-BBU · Thay thế Musashi của Nhật Bản. Thách thức: Điện áp GPU tăng đột ngột, phản hồi ở mức mili giây và tuổi thọ giảm trong môi trường nhiệt độ cao. Giải pháp:Siêu tụ điện vuông LIC, điện trở trong <1mΩ, 1 triệu chu kỳ sạc và sạc nhanh 10 phút. Kết quả: Kích thước giảm 50%-70%, trọng lượng giảm 50%-60% và hỗ trợ công suất cực đại 15-21kW.
3. Bộ nguồn đường ray Infineon GaN MOS480W thay thế cho Rubycon của Nhật Bản. Thách thức: Dải nhiệt độ hoạt động rộng từ -40°C đến 105°C, xung dòng điện gợn sóng tần số cao. Giải pháp: Tỷ lệ suy giảm nhiệt độ cực thấp <10%, dòng điện gợn sóng chịu được 7,8A. Kết quả: Đã vượt qua các bài kiểm tra khởi động ở nhiệt độ thấp -40°C và chu kỳ nhiệt độ cao-thấp với tỷ lệ đạt 100%, đáp ứng yêu cầu tuổi thọ hơn 10 năm của ngành đường sắt.
4. Xe năng lượng mớiTụ điện DC-Link· Phù hợp với bộ điều khiển động cơ 300kW của ON Semiconductor. Thách thức: Tần số chuyển mạch > 20kHz, dV/dt > 50V/ns, nhiệt độ môi trường > 105°C. Giải pháp: ESL < 3,5nH, tuổi thọ > 10.000 giờ ở 125°C và công suất trên mỗi đơn vị thể tích tăng 30%. Kết quả: Hiệu suất tổng thể > 98,5%, mật độ công suất vượt quá 45kW/L và tuổi thọ pin tăng khoảng 5%. 5. Giải pháp Cọc sạc GigaDevice 3,5kW. YMIN cung cấp hỗ trợ chuyên sâu.
Thách thức: Tần số chuyển mạch PFC là 70kHz, tần số chuyển mạch LLC là 94kHz-300kHz, dòng điện gợn sóng phía đầu vào tăng lên trên 17A và nhiệt độ lõi tăng ảnh hưởng nghiêm trọng đến tuổi thọ.
Giải pháp: Sử dụng cấu trúc song song nhiều tab để giảm ESR/ESL. Kết hợp với MCU GD32G553 và các thiết bị GaNSafe/GeneSiC, mật độ công suất đạt được là 137W/in³.
Kết quả: Hiệu suất đỉnh của hệ thống là 96,2%, PF là 0,999 và THD là 2,7%, đáp ứng yêu cầu về độ tin cậy cao và tuổi thọ 10-20 năm của trạm sạc xe điện.
Phần kết luận
Nếu bạn quan tâm đến các ứng dụng tiên tiến của chất bán dẫn thế hệ thứ ba và muốn tìm hiểu cách đổi mới tụ điện có thể cải thiện hiệu suất hệ thống và thay thế các thương hiệu quốc tế, vui lòng ghé thăm gian hàng YMIN, C56 tại Hội trường N5, để thảo luận kỹ thuật chi tiết!
Thời gian đăng: 26-09-2025